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DMP2022LSS-13  与  IRF7424TRPBF  区别

型号 DMP2022LSS-13 IRF7424TRPBF
唯样编号 A36-DMP2022LSS-13 A-IRF7424TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 20V 10A 13 mO P-ch SO-8 Single P-Channel 30 V 22 mOhm 110 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.1mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 13mΩ@10A,10V 13.5mΩ@11A,10V
上升时间 9.9ns -
Qg-栅极电荷 56.9nC -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
正向跨导 - 最小值 28S -
封装/外壳 SOP-8 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A 11A
配置 SingleQuadDrainTripleSource -
长度 5.3mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 76.5ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4030pF @ 25V
高度 1.50mm -
漏源极电压Vds 20V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W 2.5W(Ta)
典型关闭延迟时间 108ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 DMP2022 HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2444pF @ 10V 4030pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56.9nC @ 10V 110nC @ 10V
典型接通延迟时间 7.5ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
库存与单价
库存 1,203 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.683
100+ :  ¥1.298
暂无价格
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