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DMP2008UFG-7  与  FDMC510P  区别

型号 DMP2008UFG-7 FDMC510P
唯样编号 A36-DMP2008UFG-7 A36-FDMC510P-1
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8m Ohms@12A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.4W(Ta),41W(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8mΩ@12A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6909 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 72 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-MLP(3.3x3.3)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 14A(Ta),54A(Tc) 12A
系列 - PowerTrench®
驱动电压 1.5V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7860pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 116nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.5V,4.5V
库存与单价
库存 2,775 7,313
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.167
100+ :  ¥1.661
1,000+ :  ¥1.397
2,000+ :  ¥1.155
20+ :  ¥3.5343
100+ :  ¥2.9403
750+ :  ¥2.7324
1,500+ :  ¥2.5938
3,000+ :  ¥2.475
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP2008UFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.167 

阶梯数 价格
30: ¥2.167
100: ¥1.661
1,000: ¥1.397
2,000: ¥1.155
2,775 当前型号
AON7407 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.441 

阶梯数 价格
40: ¥1.441
100: ¥1.111
1,250: ¥0.924
2,500: ¥0.8393
5,000: ¥0.7689
8,992 对比
FDMC510P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-PowerWDFN MLP 8-MLP(3.3x3.3)

¥3.5343 

阶梯数 价格
20: ¥3.5343
100: ¥2.9403
750: ¥2.7324
1,500: ¥2.5938
3,000: ¥2.475
7,313 对比
AON7407 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 0 对比
DMP2008UFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
FDMC510P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-PowerWDFN MLP 8-MLP(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比

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