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DMP10H400SK3-13  与  IRFR9120NTRPBF  区别

型号 DMP10H400SK3-13 IRFR9120NTRPBF
唯样编号 A36-DMP10H400SK3-13 A36-IRFR9120NTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 100 V 0.48 Ohm 27 nC 40 W Surface Mount Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 240mΩ@5A,10V 480mΩ@3.9A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 42W(Tc) 40W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 DPAK D-Pak
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9A 6.6A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1239pF @ 25V 350pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V 27nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 350pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
库存与单价
库存 2,077 16,223
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.09
100+ :  ¥1.606
1,250+ :  ¥1.408
30+ :  ¥2.233
100+ :  ¥1.716
1,000+ :  ¥1.496
2,000+ :  ¥1.408
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.09 

阶梯数 价格
30: ¥2.09
100: ¥1.606
1,250: ¥1.408
2,077 当前型号
IRFR9120NTRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

D-Pak

¥2.233 

阶梯数 价格
30: ¥2.233
100: ¥1.716
1,000: ¥1.496
2,000: ¥1.408
16,223 对比
IRFR6215TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.96 

阶梯数 价格
20: ¥3.96
100: ¥3.311
1,000: ¥3.003
2,000: ¥2.783
6,002 对比
IRFR5410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.695 

阶梯数 价格
20: ¥2.695
100: ¥2.079
1,000: ¥1.804
2,000: ¥1.705
3,940 对比
IRFR9120NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
SPD15P10PLGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD15P10PL G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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