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DMP1005UFDF-7  与  DMP1022UFDE-7  区别

型号 DMP1005UFDF-7 DMP1022UFDE-7
唯样编号 A36-DMP1005UFDF-7 A3-DMP1022UFDE-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 12 V 160 mOhm 38 nC 0.66 W Silicon SMT Mosfet - UDFN-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5mΩ@5A,4.5V 16mΩ
上升时间 - 28ns
漏源极电压Vds 12V 12V
Pd-功率耗散(Max) 2.1W(Ta) 2.03W
Qg-栅极电荷 - 28.4nC
栅极电压Vgs ±8V 350mV
典型关闭延迟时间 - 117ns
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 6-UDFN UDFN
连续漏极电流Id 26A(Tc) 9.1A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMP10
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrain
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 800mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2953pF @ 4V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 42.6nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 1.2V,4.5V
下降时间 - 93ns
典型接通延迟时间 - 20ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2475pF @ 6V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 47nC @ 8V -
库存与单价
库存 555 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.331
200+ :  ¥1.0175
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP1005UFDF-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 12V 26A(Tc) ±8V 2.1W(Ta) 8.5mΩ@5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-UDFN

¥1.331 

阶梯数 价格
40: ¥1.331
200: ¥1.0175
555 当前型号
DMP1022UFDE-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) UDFN 9.1A 2.03W 16mΩ 12V 350mV

¥1.2375 

阶梯数 价格
50: ¥1.2375
200: ¥0.9554
1,500: ¥0.8316
3,000: ¥0.7227
4,900 对比
DMP1022UFDE-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) UDFN 9.1A 2.03W 16mΩ 12V 350mV

暂无价格 0 对比
DMP1022UFDE-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) UDFN 9.1A 2.03W 16mΩ 12V 350mV

暂无价格 0 对比
DMP1022UFDE-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) UDFN 9.1A 2.03W 16mΩ 12V 350mV

暂无价格 0 对比
DMP1005UFDF-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 2.1W(Ta) ±8V U-DFN2020-6(F 类) -55℃~150℃(TJ) 12V 26A(Tc)

暂无价格 0 对比

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