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DMN53D0L-7  与  BSS138K  区别

型号 DMN53D0L-7 BSS138K
唯样编号 A36-DMN53D0L-7 A-BSS138K
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 N-Channel 50 V Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 350mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.6 欧姆 @ 50mA,5V
漏源极电压Vds 50V 50V
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta) 350mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 1.6Ω@500mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 46 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.6 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 500mA(Ta) 220mA(Ta)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
驱动电压 2.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 58pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.4nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 58pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.4nC
库存与单价
库存 12,211 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5239
200+ :  ¥0.338
1,500+ :  ¥0.2938
3,000+ :  ¥0.26
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN53D0L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.5239 

阶梯数 价格
100: ¥0.5239
200: ¥0.338
1,500: ¥0.2938
3,000: ¥0.26
12,211 当前型号
DMN53D0LQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3

¥0.5512 

阶梯数 价格
100: ¥0.5512
500: ¥0.3679
5,000: ¥0.3185
10,000: ¥0.2847
10,000 对比
DMN53D0LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.6214 

阶梯数 价格
90: ¥0.6214
200: ¥0.4004
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BSS138K ON Semiconductor 小信号MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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DMN53D0L-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
BSS138K ON Semiconductor 小信号MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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