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DMN4040SK3-13  与  IRLR2703TRPBF  区别

型号 DMN4040SK3-13 IRLR2703TRPBF
唯样编号 A36-DMN4040SK3-13 A-IRLR2703TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3 Single N-Channel 30 V 0.065 Ohm 15 nC 45 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 45mΩ@14A,10V
漏源极电压Vds 40V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.71W(Ta) 45W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 30mΩ@12A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 945 pF @ 20 V -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 18.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 6A(Ta) 23A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 450pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 4.5V
库存与单价
库存 1,049 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.595
100+ :  ¥1.221
暂无价格
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40: ¥1.595
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