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DMN3150LW-7  与  BSS214NWH6327XTSA1  区别

型号 DMN3150LW-7 BSS214NWH6327XTSA1
唯样编号 A36-DMN3150LW-7 A-BSS214NWH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
宽度 1.3 mm -
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 88mΩ@1.6A,4.5V -
产品特性 - 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 143pF @ 10V
栅极电压Vgs ±12V -
封装/外壳 SOT-323 SC-70,SOT-323
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.6A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.8nC @ 5V
配置 Single -
长度 2.15 mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
高度 1 mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 28V -
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 3.7uA
系列 DMN -
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 305pF @ 5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3150LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 350mW(Ta) 88mΩ@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 N-Channel 28V 1.6A

暂无价格 0 当前型号
BSS214NWH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS214NW H6327_N 通道 SC-70,SOT-323 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSS214NW H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS214NWH6327XTSA1_20V 1.5A 140mΩ@1.5A,4.5V ±12V 500mW N-Channel -55°C~150°C SOT-323 车规

暂无价格 0 对比

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