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DMN3150L-7  与  PMV100ENEAR  区别

型号 DMN3150L-7 PMV100ENEAR
唯样编号 A36-DMN3150L-7 A-PMV100ENEAR
制造商 Diodes Incorporated Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3 mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 85mΩ@3.6A,4.5V -
上升时间 3.49 ns -
漏源极电压Vds 28V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 0.46W
输出电容 - 33pF
典型关闭延迟时间 15.02 ns -
栅极电压Vgs ±12V 20V,1.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150℃
连续漏极电流Id 3.8A 3A
系列 DMN -
配置 Single -
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA -
长度 2.9 mm -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 305pF @ 5V -
输入电容 - 160pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 100mΩ@4.5V,72mΩ@10V
典型接通延迟时间 1.14 ns -
高度 1 mm -
库存与单价
库存 35,888 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5753
200+ :  ¥0.4394
1,500+ :  ¥0.3822
3,000+ :  ¥0.338
580+ :  ¥1.1669
1,000+ :  ¥0.9046
1,500+ :  ¥0.7415
3,000+ :  ¥0.668
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
35,888 当前型号
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSMT 2.9mm

¥1.9193 

阶梯数 价格
1: ¥1.9193
25: ¥1.6545
100: ¥1.4263
100 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSMT 2.9mm

暂无价格 3 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 2 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 0 对比
PMV100ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV100ENEA_SOT23

¥1.1669 

阶梯数 价格
580: ¥1.1669
1,000: ¥0.9046
1,500: ¥0.7415
3,000: ¥0.668
0 对比

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