首页 > 商品目录 > > > DMN3110S-7代替型号比较

DMN3110S-7  与  RTR025N03TL  区别

型号 DMN3110S-7 RTR025N03TL
唯样编号 A36-DMN3110S-7 A36-RTR025N03TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.6 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 92mΩ@2.5A,4.5V
上升时间 - 15 ns
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 305.8 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V 12V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 TSMT
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A(Ta) 2.5A
配置 - Single
长度 - 2.9 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
下降时间 - 10 ns
高度 - 0.85 mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 740mW(Ta) 1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 73mΩ@3.1mA,10V -
典型关闭延迟时间 - 25 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - RTR
通道数量 - 1 Channel
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 220pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.6nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 9 ns
库存与单价
库存 4,210 2
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6424
200+ :  ¥0.4901
1,500+ :  ¥0.4264
3,000+ :  ¥0.377
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3110S-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.6424 

阶梯数 价格
80: ¥0.6424
200: ¥0.4901
1,500: ¥0.4264
3,000: ¥0.377
4,210 当前型号
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥2.0986 

阶梯数 价格
80: ¥2.0986
100: ¥1.9932
500: ¥1.677
1,000: ¥1.6195
2,000: ¥1.5045
2,328 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥5.3039 

阶梯数 价格
1: ¥5.3039
100: ¥3.0073
1,500: ¥1.9066
3,000: ¥1.4204
100 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥1.0927 

阶梯数 价格
1: ¥1.0927
25: ¥0.9419
100: ¥0.8118
100 对比
ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 6 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 2 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售