首页 > 商品目录 > > > DMN30H4D0L-13代替型号比较

DMN30H4D0L-13  与  DMN30H4D0L-7  区别

型号 DMN30H4D0L-13 DMN30H4D0L-7
唯样编号 A36-DMN30H4D0L-13 A-DMN30H4D0L-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 250mA(Ta) 250mA(Ta)
驱动电压 2.7V,10V 2.7V,10V
漏源极电压Vds 300V 300V
Pd-功率耗散(Max) 310mW(Ta) 310mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4Ω@300mA,10V 4Ω@300mA,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 187.3 pF @ 25 V 187.3 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 7.6 nC @ 10 V 7.6 nC @ 10 V
库存与单价
库存 3,087 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.65
100+ :  ¥1.331
500+ :  ¥1.21
2,500+ :  ¥1.133
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN30H4D0L-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥1.65 

阶梯数 价格
40: ¥1.65
100: ¥1.331
500: ¥1.21
2,500: ¥1.133
3,087 当前型号
DMN30H4D0L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥1.65 

阶梯数 价格
40: ¥1.65
100: ¥1.265
240 对比
DMN30H4D0L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
DMN30H4D1S-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售