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DMN3067LW-7  与  DMN3067LW-13  区别

型号 DMN3067LW-7 DMN3067LW-13
唯样编号 A36-DMN3067LW-7 A36-DMN3067LW-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 67mΩ@2.5A,4.5V -
上升时间 5.2ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW 500mW(Ta)
Qg-栅极电荷 4.6nC -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 67mΩ@2.5A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 447 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±12V ±12V
典型关闭延迟时间 15ns -
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 4.6 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-323 SOT-323
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 2.6A 2.6A(Ta)
系列 DMN3067 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
驱动电压 - 2.5V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 447pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
下降时间 6.1ns -
典型接通延迟时间 3.8ns -
库存与单价
库存 4,766 8,585
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.7139
200+ :  ¥0.5811
1,500+ :  ¥0.5291
3,000+ :  ¥0.494
70+ :  ¥0.7689
100+ :  ¥0.6279
500+ :  ¥0.5694
2,500+ :  ¥0.5278
5,000+ :  ¥0.494
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3067LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-323

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
4,766 当前型号
DMN3067LW-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-323

¥0.7689 

阶梯数 价格
70: ¥0.7689
100: ¥0.6279
500: ¥0.5694
2,500: ¥0.5278
5,000: ¥0.494
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60: ¥0.891
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1: ¥5.3039
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¥1.0927 

阶梯数 价格
1: ¥1.0927
25: ¥0.9419
100: ¥0.8118
100 对比

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