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DMN3033LSN-7  与  DMN3033LSNQ-7  区别

型号 DMN3033LSN-7 DMN3033LSNQ-7
唯样编号 A36-DMN3033LSN-7 A-DMN3033LSNQ-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 30V 6A SC59
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.6 mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@6A,10V -
上升时间 7 ns -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 755 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 10.5 nC @ 5 V
封装/外壳 SC-59 SC-59-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 6A 6A(Ta)
配置 Single -
长度 3 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
高度 1.1 mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 30mΩ@6A,10V
典型关闭延迟时间 63 ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 DMN -
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 755pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.5nC @ 5V -
典型接通延迟时间 11 ns -
库存与单价
库存 6,457 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7876
200+ :  ¥0.6422
1,500+ :  ¥0.585
3,000+ :  ¥0.546
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3033LSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3mm SC-59

¥0.7876 

阶梯数 价格
70: ¥0.7876
200: ¥0.6422
1,500: ¥0.585
3,000: ¥0.546
6,457 当前型号
AO3404A AOS  数据手册 功率MOSFET

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¥0.3769 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.3769
15,000 对比
AO3404A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.6941 

阶梯数 价格
80: ¥0.6941
200: ¥0.5291
1,500: ¥0.4602
3,000: ¥0.4069
11,913 对比
AO3404A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

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DMN3033LSNQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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