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DMN3033LDM-7  与  STT6N3LLH6  区别

型号 DMN3033LDM-7 STT6N3LLH6
唯样编号 A36-DMN3033LDM-7 A3-STT6N3LLH6
制造商 Diodes Incorporated STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 33 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-26-6 MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 33mΩ@6.9A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT-26 SOT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 6.9A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 755pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 9,200 3,000
工厂交货期 3 - 15天 5 - 7天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6787
200+ :  ¥0.5538
1,500+ :  ¥0.5018
3,000+ :  ¥0.4706
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2,275 对比

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