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DMN3016LK3-13  与  IRFR3708TRRPBF  区别

型号 DMN3016LK3-13 IRFR3708TRRPBF
唯样编号 A36-DMN3016LK3-13 A-IRFR3708TRRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ@11A,10V 12.5mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) 87W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK DPAK
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 12.4A 61A(Tc)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1415pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25.1nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.8V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2417pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 4.5V
库存与单价
库存 823 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.002
100+ :  ¥1.54
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3016LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.6W(Ta) 12mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 12.4A

¥2.002 

阶梯数 价格
30: ¥2.002
100: ¥1.54
823 当前型号
IRLR7807ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 40W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.8mΩ@15A,10V N-Channel 30V 43A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR3708TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 61A(Tc) ±12V 87W(Tc) 12.5mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比
IPD30N03S4L-14 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N03S4L14ATMA1_30V 30A 13.6mΩ 16V 31W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRLR7807ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

13.8mΩ@15A,10V ±20V 40W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 30V 43A D-Pak

暂无价格 0 对比
BUK9214-30A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9214-30A_SOT428 N-Channel 107W 175℃ 1.5V 30V 63A

¥6.7907 

阶梯数 价格
490: ¥6.7907
1,000: ¥5.2641
1,250: ¥4.3148
2,500: ¥3.9585
0 对比

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