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DMN3009SK3-13  与  SPD50N03S2L06GBTMA1  区别

型号 DMN3009SK3-13 SPD50N03S2L06GBTMA1
唯样编号 A36-DMN3009SK3-13-0 A-SPD50N03S2L06GBTMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@30A,10V -
上升时间 4.1ns -
Qg-栅极电荷 42nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2530pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 80A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.4 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 15ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 44W -
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 85uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
典型接通延迟时间 3.9ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,838 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.3068
100+ :  ¥1.0098
1,250+ :  ¥0.8524
2,500+ :  ¥0.7227
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥1.3068 

阶梯数 价格
40: ¥1.3068
100: ¥1.0098
1,250: ¥0.8524
2,500: ¥0.7227
2,838 当前型号
AOD418 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.0612 

阶梯数 价格
1: ¥3.0612
100: ¥2.2059
1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
2,496 对比
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TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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