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DMN3008SFG-7  与  BSZ0904NSIATMA1  区别

型号 DMN3008SFG-7 BSZ0904NSIATMA1
唯样编号 A36-DMN3008SFG-7 A-BSZ0904NSIATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333 MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta),37W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 900mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3690 pF @ 10 V 1463pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 86 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 17.6A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
驱动电压 4.5V,10V -
FET功能 - 肖特基二极管(体)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 18A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.892
100+ :  ¥1.452
1,000+ :  ¥1.21
2,000+ :  ¥1.012
暂无价格
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30: ¥1.892
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40: ¥1.276
100: ¥0.9812
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2,500: ¥0.7436
5,000: ¥0.682
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1: ¥2.5128
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