首页 > 商品目录 > > > > DMN2058U-7代替型号比较

DMN2058U-7  与  DMN2058U-13  区别

型号 DMN2058U-7 DMN2058U-13
唯样编号 A36-DMN2058U-7 A36-DMN2058U-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ@6A,10V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.13W 1.13W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 35mΩ@6A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 281 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 7.7 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 4.6A(Ta) 4.6A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
驱动电压 - 1.8V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 281pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 281pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,552 8,820
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
100+ :  ¥0.533
200+ :  ¥0.3432
1,500+ :  ¥0.2977
80+ :  ¥0.6292
100+ :  ¥0.5122
500+ :  ¥0.4654
2,500+ :  ¥0.4316
5,000+ :  ¥0.4043
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2058U-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.533 

阶梯数 价格
100: ¥0.533
200: ¥0.3432
1,500: ¥0.2977
2,552 当前型号
DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 162,000 对比
DMN2058U-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.6292 

阶梯数 价格
80: ¥0.6292
100: ¥0.5122
500: ¥0.4654
2,500: ¥0.4316
5,000: ¥0.4043
8,820 对比
DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.4732 

阶梯数 价格
110: ¥0.4732
200: ¥0.3055
1,500: ¥0.2665
5,505 对比
DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
DMN2058U-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售