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DMN2009LSS-13  与  IRF7460PBF  区别

型号 DMN2009LSS-13 IRF7460PBF
唯样编号 A36-DMN2009LSS-13 A-IRF7460PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.25mm -
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2050pF @ 10V
栅极电压Vgs 12V -
封装/外壳 SOP 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 12A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19nC @ 4.5V
配置 SingleQuadDrainTripleSource -
长度 4.6mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 10 毫欧 @ 12A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
高度 0.56mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 2W -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250uA
系列 DMN2009 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2555pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 58.3nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 12A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 3,296 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.914
100+ :  ¥1.474
1,250+ :  ¥1.276
2,500+ :  ¥1.21
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2009LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP 12A 2W 8mΩ 20V 12V N-Channel

¥1.914 

阶梯数 价格
30: ¥1.914
100: ¥1.474
1,250: ¥1.276
2,500: ¥1.21
3,296 当前型号
IRF7460PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF7476TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 12V 15A(Ta) ±12V 2.5W(Ta) 8mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SO8

暂无价格 0 对比

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