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DMN13H750S-7  与  DMN13H750S-13  区别

型号 DMN13H750S-7 DMN13H750S-13
唯样编号 A36-DMN13H750S-7 A-DMN13H750S-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 750mΩ@2A,10V 750mΩ@2A,10V
漏源极电压Vds 130V 130V
Pd-功率耗散(Max) 770mW(Ta) 770mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1A 1A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 231pF @ 25V 231pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V 5.6nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 6V,10V
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.353
100+ :  ¥1.0439
750+ :  ¥0.8701
1,500+ :  ¥0.7909
3,000+ :  ¥0.7337
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN13H750S-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 770mW(Ta) 750mΩ@2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 130V 1A

¥1.353 

阶梯数 价格
40: ¥1.353
100: ¥1.0439
750: ¥0.8701
1,500: ¥0.7909
3,000: ¥0.7337
3,000 当前型号
DMN13H750S-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 770mW(Ta) 750mΩ@2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 130V 1A

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