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DMN10H220LE-13  与  IRLML0100TRPBF  区别

型号 DMN10H220LE-13 IRLML0100TRPBF
唯样编号 A36-DMN10H220LE-13 A36-IRLML0100TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 100 V 1.3 W 2.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 220mΩ@1.6A,10V 220mΩ@1.6A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.8W(Ta) 1.3W
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.3A 1.6A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 401pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 3,562 15,728
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.034
100+ :  ¥0.6897
1,250+ :  ¥0.627
2,500+ :  ¥0.5808
80+ :  ¥0.6853
200+ :  ¥0.5577
1,500+ :  ¥0.5083
3,000+ :  ¥0.4745
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H220LE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

¥1.034 

阶梯数 价格
50: ¥1.034
100: ¥0.6897
1,250: ¥0.627
2,500: ¥0.5808
3,562 当前型号
IRLML0100TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.6853 

阶梯数 价格
80: ¥0.6853
200: ¥0.5577
1,500: ¥0.5083
3,000: ¥0.4745
15,728 对比
IRFL4310TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

¥2.002 

阶梯数 价格
30: ¥2.002
100: ¥1.54
1,250: ¥1.342
2,500: ¥1.265
5,653 对比
BSP373NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP373N H6327_TO-261-4,TO-261AA

¥1.6545 

阶梯数 价格
1: ¥1.6545
25: ¥1.4263
100: ¥1.2295
396 对比
BSP373NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP373N H6327_TO-261-4,TO-261AA

¥3.388 

阶梯数 价格
20: ¥3.388
50: ¥2.607
176 对比
IRFL4310TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 0 对比

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