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DMN10H170SFG-13  与  DMN10H170SFGQ-13  区别

型号 DMN10H170SFG-13 DMN10H170SFGQ-13
唯样编号 A36-DMN10H170SFG-13 A-DMN10H170SFGQ-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 2.9A(Ta),8.5A(Tc) 2.9A(Ta),8.5A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 940mW(Ta) 940mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 122mΩ@3.3A,10V 122mΩ@3.3A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 870.7 pF @ 25 V 870.7 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 14.9 nC @ 10 V 14.9 nC @ 10 V
库存与单价
库存 2,920 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.562
100+ :  ¥1.199
750+ :  ¥1.0021
1,500+ :  ¥0.9108
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥1.562 

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