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DMN10H170SFDE-7  与  DMN10H170SFDE-13  区别

型号 DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-13
唯样编号 A36-DMN10H170SFDE-7 A-DMN10H170SFDE-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 U-DFN2020-6(E 类) U-DFN2020-6(E 类)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 2.9A(Ta) 2.9A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 660mW(Ta) 660mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 160mΩ@5A,10V 160mΩ@5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1167 pF @ 25 V 1167 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 9.7 nC @ 10 V 9.7 nC @ 10 V
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥1.232
200+ :  ¥0.946
1,500+ :  ¥0.8228
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 660mW(Ta) ±20V U-DFN2020-6(E 类) -55℃~150℃(TJ) 100V 2.9A(Ta)

¥1.232 

阶梯数 价格
50: ¥1.232
200: ¥0.946
1,500: ¥0.8228
2,500 当前型号
DMN10H170SFDE-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 660mW(Ta) ±20V U-DFN2020-6(E 类) -55℃~150℃(TJ) 100V 2.9A(Ta)

暂无价格 0 对比

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