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DMN10H099SFG-7  与  DMN10H099SFG-13  区别

型号 DMN10H099SFG-7 DMN10H099SFG-13
唯样编号 A36-DMN10H099SFG-7 A-DMN10H099SFG-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 4.2A(Ta) 4.2A(Ta)
驱动电压 6V,10V 6V,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 980mW(Ta) 980mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 80mΩ@3.3A,10V 80mΩ@3.3A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1172 pF @ 50 V 1172 pF @ 50 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25.2 nC @ 10 V 25.2 nC @ 10 V
库存与单价
库存 3,450 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥2.607
100+ :  ¥2.013
1,000+ :  ¥1.749
2,000+ :  ¥1.65
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.607 

阶梯数 价格
20: ¥2.607
100: ¥2.013
1,000: ¥1.749
2,000: ¥1.65
3,450 当前型号
DMN10H099SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

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