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DMG4800LK3-13  与  IRLR3103TRPBF  区别

型号 DMG4800LK3-13 IRLR3103TRPBF
唯样编号 A36-DMG4800LK3-13 A-IRLR3103TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3 Single N-Channel 30 V 107 W 50 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 19mΩ@33A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.71W(Ta) 107W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 17mΩ@9A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 798 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±25V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.7 nC @ 5 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A(Ta) 55A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 50nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1600pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 50nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AOD480 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.4286 

阶梯数 价格
1: ¥1.4286
100: ¥1.0294
1,000: ¥0.8861
2,500: ¥0.7
2 对比
IRLR3103TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
AOD480 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比
IRLR3103PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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