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DMG3420U-7  与  RUR040N02TL  区别

型号 DMG3420U-7 RUR040N02TL
唯样编号 A36-DMG3420U-7 A3x-RUR040N02TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
正向跨导-最小值 9 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@6A,10V 35mΩ@4A,4.5V
上升时间 8.3ns -
Qg-栅极电荷 5.4nC -
栅极电压Vgs ±12V ±10V
封装/外壳 SOT-23 SC-96
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.47A 4A(Ta)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,10V 1.5V,4.5V
下降时间 5.3ns -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 680pF @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.3V @ 1mA
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 740mW 1W(Ta)
典型关闭延迟时间 21.6ns -
FET类型 - N-Channel
系列 DMG3420 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 434.7pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 6.5ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 5,505 15,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
110+ :  ¥0.4732
200+ :  ¥0.3055
1,500+ :  ¥0.2665
3,000+ :  ¥0.88
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.4732 

阶梯数 价格
110: ¥0.4732
200: ¥0.3055
1,500: ¥0.2665
5,505 当前型号
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
19,416 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
8,830 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥0.8492 

阶梯数 价格
60: ¥0.8492
200: ¥0.5852
8,371 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥2.5011 

阶梯数 价格
60: ¥2.5011
100: ¥2.3765
500: ¥1.974
1,000: ¥1.8974
2,000: ¥1.7728
4,000: ¥1.7536
4,011 对比

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