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DMG302PU-13  与  FDV302P  区别

型号 DMG302PU-13 FDV302P
唯样编号 A36-DMG302PU-13 A3-FDV302P
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23 Single P-Channel -25 V 0.35 W 0.31 nC DMOS Surface Mount Mosfet - SOT-23A-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 350mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10 欧姆 @ 200mA,4.5V
漏源极电压Vds 25V 25V
Pd-功率耗散(Max) 320mW(Ta) 350mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 10Ω@200mA,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 27.2 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs 8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.35 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 170mA(Ta) 0.12A
驱动电压 2.7V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.31nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.31nC @ 4.5V
库存与单价
库存 20,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.342
100+ :  ¥1.0791
500+ :  ¥0.9812
2,500+ :  ¥0.9075
5,000+ :  ¥0.8646
10,000+ :  ¥0.8085
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG302PU-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥1.342 

阶梯数 价格
40: ¥1.342
100: ¥1.0791
500: ¥0.9812
2,500: ¥0.9075
5,000: ¥0.8646
10,000: ¥0.8085
20,000 当前型号
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23

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