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DDTC114GUA-7-F  与  MUN5215T1G  区别

型号 DDTC114GUA-7-F MUN5215T1G
唯样编号 A36-DDTC114GUA-7-F A32-MUN5215T1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 数字晶体管 通用三极管
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA
功率 - 0.202W
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 160 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 250mV @ 1mA,10mA
电阻器-基底(R1)(欧姆) - 10k
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 1mA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V
FET类型 - NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 160 @ 5mA,10V
封装/外壳 - SC-70,SOT-323
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) - 10k
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极最大允许电流Ic - 100mA
Power-Max - 202mW
库存与单价
库存 2,850 3,000
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
150+ :  ¥0.3497
200+ :  ¥0.2595
1,500+ :  ¥0.225
1+ :  ¥0.137
25+ :  ¥0.1182
100+ :  ¥0.1017
1,000+ :  ¥0.0876
3,000+ :  ¥0.0756
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DDTC114GUA-7-F Diodes Incorporated  数据手册 数字晶体管

null

¥0.3497 

阶梯数 价格
150: ¥0.3497
200: ¥0.2595
1,500: ¥0.225
2,850 当前型号
DTC114GU3T106 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-323 200mW NPN 50V 100mA 300mV 30 250MHz

¥0.4819 

阶梯数 价格
320: ¥0.4819
500: ¥0.4114
1,000: ¥0.3879
2,000: ¥0.3879
4,000: ¥0.3761
8,730 对比
DTC124GUAT106 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-323 200mW NPN 50V 100mA 300mV 56 250MHz

¥0.2484 

阶梯数 价格
210: ¥0.2484
1,500: ¥0.1553
3,000: ¥0.1075
5,755 对比
MUN5215T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

SC-70,SOT-323

¥0.137 

阶梯数 价格
1: ¥0.137
25: ¥0.1182
100: ¥0.1017
1,000: ¥0.0876
3,000: ¥0.0756
3,000 对比
DTC124GUAT106 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-323 200mW NPN 50V 100mA 300mV 56 250MHz

¥0.2703 

阶梯数 价格
560: ¥0.2703
1,000: ¥0.2703
2,000: ¥0.2703
2,628 对比
DTC124TUAT106 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-323 200mW NPN 50V 100mA 300mV 100 250MHz

¥0.4819 

阶梯数 价格
320: ¥0.4819
500: ¥0.4114
1,000: ¥0.3879
2,000: ¥0.3879
2,330 对比

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