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DDC143TU-7-F  与  MUN5212DW1T1G  区别

型号 DDC143TU-7-F MUN5212DW1T1G
唯样编号 A36-DDC143TU-7-F A36-MUN5212DW1T1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 达林顿晶体管
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 200mW -
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA
特征频率fT 250MHz -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
集电极-射极饱和电压 -300mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V
FET类型 - NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-363 SC-88
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
工作温度 -55℃~150℃ -
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极连续电流 -100mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
直流电流增益hFE 100 -
集电极-发射极最大电压VCEO -50V -
晶体管类型 PNP/PNP -
R1 4.7k Ohms -
库存与单价
库存 2,630 4,761
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5511
200+ :  ¥0.4199
1,500+ :  ¥0.3653
120+ :  ¥0.4446
200+ :  ¥0.286
3,000+ :  ¥0.255
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DDC143TU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.5511 

阶梯数 价格
100: ¥0.5511
200: ¥0.4199
1,500: ¥0.3653
2,630 当前型号
PUMH11,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH11_SOT-363

¥0.2245 

阶梯数 价格
570: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
69,000 对比
PUMH11,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH11_SOT-363

¥0.8426 

阶梯数 价格
60: ¥0.8426
200: ¥0.3315
1,500: ¥0.2385
3,000: ¥0.165
7,773 对比
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

SC-88

¥0.4446 

阶梯数 价格
120: ¥0.4446
200: ¥0.286
3,000: ¥0.255
4,761 对比
UMH3NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.4706 

阶梯数 价格
110: ¥0.4706
200: ¥0.3042
1,500: ¥0.2639
3,978 对比
UMH3NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥1.3128 

阶梯数 价格
120: ¥1.3128
500: ¥0.8055
1,000: ¥0.7757
2,000: ¥0.7359
2,995 对比

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