首页 > 商品目录 > > > > DDC114TU-7-F代替型号比较

DDC114TU-7-F  与  MUN5212DW1T1G  区别

型号 DDC114TU-7-F MUN5212DW1T1G
唯样编号 A36-DDC114TU-7-F A36-MUN5212DW1T1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 达林顿晶体管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 200mW -
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA
特征频率fT 250MHz -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
集电极-射极饱和电压 -300mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V
FET类型 - NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-363 SC-88
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
工作温度 -55℃~150℃ -
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极连续电流 -100mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
直流电流增益hFE 100 -
集电极-发射极最大电压VCEO -50V -
晶体管类型 PNP/PNP -
R1 10k Ohms -
库存与单价
库存 1,485 4,761
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
110+ :  ¥0.4979
200+ :  ¥0.3211
130+ :  ¥0.4002
200+ :  ¥0.297
1,500+ :  ¥0.2592
3,000+ :  ¥0.2295
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DDC114TU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.4979 

阶梯数 价格
110: ¥0.4979
200: ¥0.3211
1,485 当前型号
PUMH11,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH11_SOT-363

¥0.2245 

阶梯数 价格
570: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
57,000 对比
UMH4NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.3861 

阶梯数 价格
130: ¥0.3861
200: ¥0.2862
1,500: ¥0.2498
3,000: ¥0.2214
7,750 对比
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

SC-88

¥0.4002 

阶梯数 价格
130: ¥0.4002
200: ¥0.297
1,500: ¥0.2592
3,000: ¥0.2295
4,761 对比
PUMH11,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH11_SOT-363

¥0.8426 

阶梯数 价格
60: ¥0.8426
200: ¥0.3315
1,500: ¥0.2385
3,000: ¥0.165
3,253 对比
UMH4NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥1.3989 

阶梯数 价格
1: ¥1.3989
100: ¥0.7932
1,000: ¥0.4854
3,000: ¥0.367
100 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售