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DCX123JU-7-F  与  MUN5335DW1T1G  区别

型号 DCX123JU-7-F MUN5335DW1T1G
唯样编号 A36-DCX123JU-7-F A36-MUN5335DW1T1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 达林顿晶体管
描述 DCX123JU Series NPN/PNP 50 V 100 A Dual Transistor Surface Mount - SOT-363-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 47k Ohms -
功率耗散Pd 200mW -
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
功率 - 1/4W
特征频率fT 250MHz -
电阻器-基底(R1)(欧姆) - 2.2k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 47K Ohms
集电极-射极饱和电压 300mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
FET类型 - NPN+PNP
封装/外壳 SOT-363 SC-88
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 5mA,10V
工作温度 -55℃~150℃ -
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极连续电流 100mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
直流电流增益hFE 80 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
晶体管类型 NPN/PNP -
R1 2.2k Ohms -
库存与单价
库存 1,175 4,620
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
120+ :  ¥0.4316
200+ :  ¥0.2795
100+ :  ¥0.5018
200+ :  ¥0.325
1,500+ :  ¥0.2821
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DCX123JU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.4316 

阶梯数 价格
120: ¥0.4316
200: ¥0.2795
1,175 当前型号
PUMD10,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD10_SOT-363

¥0.8646 

阶梯数 价格
60: ¥0.8646
200: ¥0.3406
1,500: ¥0.246
3,000: ¥0.1695
17,472 对比
PUMH10,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH10_SOT-363

¥0.2245 

阶梯数 价格
570: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
15,000 对比
PUMD16,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD16_SOT-363

¥0.2245 

阶梯数 价格
570: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
15,000 对比
PUMH10,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH10_SOT-363

¥0.8261 

阶梯数 价格
70: ¥0.8261
200: ¥0.3263
1,500: ¥0.2355
3,000: ¥0.162
7,026 对比
MUN5335DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

SC-88

¥0.5018 

阶梯数 价格
100: ¥0.5018
200: ¥0.325
1,500: ¥0.2821
4,620 对比

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