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CSD17581Q5A  与  RS1E240GNTB  区别

型号 CSD17581Q5A RS1E240GNTB
唯样编号 A36-CSD17581Q5A A-RS1E240GNTB
制造商 TI ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@24A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta),27.4W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 24A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1500pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥10.417
100+ :  ¥6.021
1,250+ :  ¥3.8173
2,500+ :  ¥2.7599
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD17581Q5A TI  数据手册 功率MOSFET

8-VSONP(5x6)

暂无价格 0 当前型号
RS1E240GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),27.4W(Tc) 3.3mΩ@24A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A(Ta)

¥5.7495 

阶梯数 价格
30: ¥5.7495
50: ¥4.0534
100: ¥3.488
500: ¥3.1047
1,000: ¥3.0281
2,000: ¥2.9706
2,500 对比
RS1E240GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),27.4W(Tc) 3.3mΩ@24A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A(Ta)

¥5.7495 

阶梯数 价格
30: ¥5.7495
50: ¥4.0534
100: ¥3.488
500: ¥3.1047
1,000: ¥3.0281
2,000: ¥2.9706
2,500 对比
RS1E240GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),27.4W(Tc) 3.3mΩ@24A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A(Ta)

¥10.417 

阶梯数 价格
1: ¥10.417
100: ¥6.021
1,250: ¥3.8173
2,500: ¥2.7599
100 对比
BSC0503NSIATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0503NSI_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSZ0502NSI Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ0502NSIATMA1_30V 40A 3.3mΩ -55.0°C N-Channel 1.2V,2V

暂无价格 0 对比

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