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BSP373NH6327XTSA1  与  DMN10H220LE-13  区别

型号 BSP373NH6327XTSA1 DMN10H220LE-13
唯样编号 A36-BSP373NH6327XTSA1 A-DMN10H220LE-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 220mΩ@1.6A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 265pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA SOT-223
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 218uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.3nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.3A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 401pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 240 毫欧 @ 1.8A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.3nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.8A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 176 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.388
50+ :  ¥2.607
暂无价格
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