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BSH105,215  与  BSS214NH6327XTSA1  区别

型号 BSH105,215 BSS214NH6327XTSA1
唯样编号 A36-BSH105,215 A36-BSS214NH6327XTSA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 20 V 200 mO 417 mW Enhancement Mode MOS Transistor - SOT-23 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 0.17W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 143pF @ 10V
输出电容 71pF -
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.05A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 3.7uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.8nC @ 5V
输入电容 152pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.5A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 200mΩ@600mA,4.5V -
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 6,417 23,953
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
60+ :  ¥0.8492
200+ :  ¥0.5852
80+ :  ¥0.7084
200+ :  ¥0.5408
1,500+ :  ¥0.4706
3,000+ :  ¥0.416
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSH105,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH105_SOT23

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40: ¥1.419
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¥2.6256 

阶梯数 价格
60: ¥2.6256
100: ¥2.2711
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.8399
2,000: ¥1.792
4,000: ¥1.7153
5,421 对比

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