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BC857BS-7-F  与  BC857BDW1T1G  区别

型号 BC857BS-7-F BC857BDW1T1G
唯样编号 A36-BC857BS-7-F A36-BC857BDW1T1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 15nA(ICBO)
电流 - 集电极截止(最大值) - 15nA(ICBO)
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 220 @ 2mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 650mV @ 5mA,100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 45V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-363 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
VCBO -50V -
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
VEBO -5V -
频率 - 跃迁 - 100MHz
晶体管类型 PNP -
功率耗散Pd 200mW -
特征频率fT 100MHz -
集电极-射极饱和电压 -400mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 650mV @ 5mA,100mA
FET类型 - P-Channel
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 220 @ 2mA,5V
频率-跃迁 - 100MHz
集电极_发射极击穿电压VCEO - 45V
集电极连续电流 -100mA -
集电极最大允许电流Ic - 0.1A
直流电流增益hFE 220 -
集电极-发射极最大电压VCEO -45V -
库存与单价
库存 56,165 24,354
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
150+ :  ¥0.3536
200+ :  ¥0.2625
1,500+ :  ¥0.2295
3,000+ :  ¥0.201
120+ :  ¥0.4316
200+ :  ¥0.2795
1,500+ :  ¥0.279
3,000+ :  ¥0.2475
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BC857BS-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.3536 

阶梯数 价格
150: ¥0.3536
200: ¥0.2625
1,500: ¥0.2295
3,000: ¥0.201
56,165 当前型号
BC857BS,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

BC857BS_SOT-363

¥0.6919 

阶梯数 价格
80: ¥0.6919
200: ¥0.273
1,500: ¥0.1965
3,000: ¥0.1356
24,645 对比
BC857BDW1T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

¥0.4316 

阶梯数 价格
120: ¥0.4316
200: ¥0.2795
1,500: ¥0.279
3,000: ¥0.2475
24,354 对比
BC857BS,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

BC857BS_SOT-363

¥0.217 

阶梯数 价格
570: ¥0.217
1,000: ¥0.1682
1,500: ¥0.1379
3,000: ¥0.122
9,000 对比
MBT3906DW1T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

¥0.3744 

阶梯数 价格
140: ¥0.3744
200: ¥0.2775
1,500: ¥0.243
2,045 对比
BC857BDW1T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

¥0.222 

阶梯数 价格
1: ¥0.222
25: ¥0.1914
100: ¥0.1649
1,000: ¥0.1421
1,900 对比

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