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AOTF190A60L  与  STF26NM60N  区别

型号 AOTF190A60L STF26NM60N
唯样编号 A36-AOTF190A60L A36-STF26NM60N
制造商 AOS STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1.25 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@10V 165mΩ@10A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 11 -
栅极电压Vgs 20V ±30V
Td(on)(ns) 49 -
封装/外壳 TO-220F TO-220FP
连续漏极电流Id 20*A 20A
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1935 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 341 -
Td(off)(ns) 115 -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 32W 35W(Tc)
Qrr(nC) 6800 -
VGS(th) 4.6 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1800pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
Coss(pF) 55 -
Qg*(nC) 34 -
库存与单价
库存 0 5,003
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥6.985
100+ :  ¥5.577
1,000+ :  ¥5.17
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥6.985 

阶梯数 价格
8: ¥6.985
100: ¥5.577
1,000: ¥5.17
5,003 对比

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