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AOT480L  与  IRFB4110PBF  区别

型号 AOT480L IRFB4110PBF
唯样编号 A36-AOT480L A-IRFB4110PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 370 W 210 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 310 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@10V 4.5mΩ@75A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 5.5mΩ -
Qgd(nC) 38 -
栅极电压Vgs 25V ±20V
Td(on)(ns) 31.5 -
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
连续漏极电流Id 180A 180A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 6520 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 28 -
Td(off)(ns) 46 -
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 333W 370W(Tc)
Qrr(nC) 132 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9620pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 210nC @ 10V
Coss(pF) 810 -
Qg*(nC) 116* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT480L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
PSMN4R3-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R3-100PS_SOT78

¥17.7614 

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50: ¥14.5585
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PSMN5R0-80PS_SOT78

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20: ¥13.3875
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IRFB4110PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

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IPP045N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP045N10N3 G_TO-220-3

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IPP045N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP045N10N3GXKSA1_TO-220-3

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