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AOT266L  与  IRFB3206PBF  区别

型号 AOT266L IRFB3206PBF
唯样编号 A36-AOT266L A3-IRFB3206PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 20 -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5mΩ@10V 3mΩ@75A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 4mΩ -
Qg-栅极电荷 - 120nC
Qgd(nC) 7 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
连续漏极电流Id 140A 210A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 5650 -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
高度 - 15.65mm
Trr(ns) 27 -
Td(off)(ns) 36 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 268W 300W
Qrr(nC) 145 -
VGS(th) 3.2 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
Coss(pF) 720 -
Qg*(nC) 65* -
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 2,000 对比
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

¥4.598 

阶梯数 价格
20: ¥4.598
100: ¥3.674
1,000: ¥3.41
1,000 对比
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IPP034NE7N3 G_TO-220-3

¥13.783 

阶梯数 价格
4: ¥13.783
10: ¥11.484
401 对比
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TO-220AB

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