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AOD4184A  与  IPD50N04S4L08ATMA1  区别

型号 AOD4184A IPD50N04S4L08ATMA1
唯样编号 A36-AOD4184A A3a-IPD50N04S4L08ATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 135 -
功率耗散(最大值) - 46W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 9.5mΩ -
Qgd(nC) 6 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2340pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 6 -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 50A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 1500 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.3 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - +20V,-16V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 29 -
Td(off)(ns) 30 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 50W -
Qrr(nC) 26 -
VGS(th) 2.6 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 17uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
Coss(pF) 215 -
Qg*(nC) 14 -
库存与单价
库存 13,476 7,500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥1.782
100+ :  ¥1.364
1,250+ :  ¥1.166
2,500+ :  ¥0.9845
2,500+ :  ¥2.288
5,000+ :  ¥2.068
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD4184A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.782 

阶梯数 价格
30: ¥1.782
100: ¥1.364
1,250: ¥1.166
2,500: ¥0.9845
13,476 当前型号
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¥4.147 

阶梯数 价格
2,000: ¥4.147
4,000: ¥4.103
4,000 对比

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