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AOD409  与  IRFR5305TRPBF  区别

型号 AOD409 IRFR5305TRPBF
唯样编号 A36-AOD409 A36-IRFR5305TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 153 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@-20A,-10V 65mΩ@16A,10V
Rds On(Max)@4.5V 55mΩ -
Qgd(nC) 10 -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) 12 -
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id -26A 31A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 2977 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Trr(ns) 40 -
Td(off)(ns) 38 -
漏源极电压Vds -60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 60W 110W(Tc)
Qrr(nC) 59 -
VGS(th) -2.4 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
Coss(pF) 241 -
Qg*(nC) 22.2 -
库存与单价
库存 5,662 5,970
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.299
100+ :  ¥1.76
1,250+ :  ¥1.54
2,500+ :  ¥1.452
20+ :  ¥2.871
100+ :  ¥2.211
1,000+ :  ¥1.925
2,000+ :  ¥1.815
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD409 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥2.299 

阶梯数 价格
30: ¥2.299
100: ¥1.76
1,250: ¥1.54
2,500: ¥1.452
5,662 当前型号
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.871 

阶梯数 价格
20: ¥2.871
100: ¥2.211
1,000: ¥1.925
2,000: ¥1.815
5,970 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 4,000 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥7.6564 

阶梯数 价格
20: ¥7.6564
50: ¥5.8836
100: ¥5.2991
500: ¥4.8967
1,000: ¥4.82
1,784 对比
AOD417 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
171 对比
AOD417 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 30 对比

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