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AOD2910  与  IRFR3710ZTRPBF  区别

型号 AOD2910 IRFR3710ZTRPBF
唯样编号 A36-AOD2910 A36-IRFR3710ZTRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 7 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 24mΩ@20A,10V 18mΩ@33A,10V
Rds On(Max)@4.5V 33mΩ -
Qgd(nC) 2.5 -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
Td(on)(ns) 7 -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3
连续漏极电流Id 31A 56A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 1190 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2930pF @ 25V
Trr(ns) 30 -
Td(off)(ns) 20 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 53.5W 140W(Tc)
Qrr(nC) 145 -
VGS(th) 2.7 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2930pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
Coss(pF) 95 -
Qg*(nC) 7 -
库存与单价
库存 263 2
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.321
100+ :  ¥1.782
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