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AOB470L  与  IRF1010NSTRLPBF  区别

型号 AOB470L IRF1010NSTRLPBF
唯样编号 A36-AOB470L A-IRF1010NSTRLPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 11 mOhm 120 nC 180 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 180 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.2mΩ@30A,10V 11mΩ@43A,10V
Qgd(nC) 18 -
栅极电压Vgs ±25V ±20V
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-263 D2PAK
连续漏极电流Id 100A 85A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 4700 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
Trr(ns) 53 -
Td(off)(ns) 70 -
漏源极电压Vds 75V 55V
Pd-功率耗散(Max) 268W 180W(Tc)
Qrr(nC) 143 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
Coss(pF) 400 -
Qg*(nC) 114* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
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