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AO6601  与  DMG6602SVT-7  区别

型号 AO6601 DMG6602SVT-7
唯样编号 A36-AO6601-0 A36-DMG6602SVT-7
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@3.4A,10V 60mΩ@3.1A,10V
正向跨导-最小值 - 4 S
上升时间 - 5 ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.15W 840mW
Qg-栅极电荷 - 9 nC
栅极电压Vgs 12V 20V
典型关闭延迟时间 - 13 ns
FET类型 N-Channel N+P-Channel
封装/外壳 TSOP-6 TSOT-23
连续漏极电流Id 3.4A 3.4A,2.8A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMG
通道数量 - 2 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 400pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 3 ns
库存与单价
库存 3,119 8,578
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5752
200+ :  ¥0.468
1,500+ :  ¥0.4259
3,000+ :  ¥0.3978
90+ :  ¥0.6193
200+ :  ¥0.5057
1,500+ :  ¥0.4589
3,000+ :  ¥0.429
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO6601 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6 N-Channel 30V 12V 3.4A 1.15W 60mΩ@3.4A,10V -55°C~150°C

¥0.5752 

阶梯数 价格
90: ¥0.5752
200: ¥0.468
1,500: ¥0.4259
3,000: ¥0.3978
3,119 当前型号
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
200: ¥0.5057
1,500: ¥0.4589
3,000: ¥0.429
8,578 对比
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel

¥0.6006 

阶梯数 价格
90: ¥0.6006
200: ¥0.4888
1,500: ¥0.4446
3,000: ¥0.416
3,904 对比
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A

¥1.694 

阶梯数 价格
30: ¥1.694
94 对比
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A

暂无价格 0 对比
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel

暂无价格 0 对比

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