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AO6601  与  FDC6333C  区别

型号 AO6601 FDC6333C
唯样编号 A36-AO6601-0 A32-FDC6333C
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual N / P-Channel 30 V 95 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@3.4A,10V 95m Ohms@2.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.15W 700mW
栅极电压Vgs 12V -
FET类型 N-Channel N+P-Channel
封装/外壳 TSOP-6 SuperSOT
连续漏极电流Id 3.4A 2.5A/2A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 282pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.6nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO6601 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6 N-Channel 30V 12V 3.4A 1.15W 60mΩ@3.4A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
200: ¥0.5057
1,500: ¥0.4589
3,000: ¥0.429
7,772 对比
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel

¥0.6006 

阶梯数 价格
90: ¥0.6006
200: ¥0.4888
1,500: ¥0.4446
2,344 对比
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A

¥1.694 

阶梯数 价格
30: ¥1.694
94 对比
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A

暂无价格 0 对比
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel

暂无价格 0 对比

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