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AO6403  与  FDC610PZ  区别

型号 AO6403 FDC610PZ
唯样编号 A36-AO6403 A-FDC610PZ
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 30 V 42 mOhm 24 nC SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 95 -
功率 - 1.6W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ@10V 42 毫欧 @ 4.9A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 58mΩ -
Qgd(nC) 3.2 -
栅极电压Vgs 20V ±25V
Td(on)(ns) 8 -
封装/外壳 TSOP-6 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
连续漏极电流Id -6A 4.9A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 760 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1005pF @ 15V
Trr(ns) 15 -
Td(off)(ns) 17 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.6W(Ta)
Qrr(nC) 9.7 -
VGS(th) -2.4 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1005pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
Coss(pF) 140 -
Qg*(nC) 6.7 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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