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AO4566  与  BSO094N03S  区别

型号 AO4566 BSO094N03S
唯样编号 A36-AO4566 A-BSO094N03S
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 31 -
功率耗散(最大值) - 1.56W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 17mΩ -
Qgd(nC) 1.7 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2300pF @ 15V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 4 -
封装/外壳 SO-8 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
连续漏极电流Id 12A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 18nC @ 5V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 542 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9.1 毫欧 @ 13A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 9.7 -
Td(off)(ns) 18 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W -
Qrr(nC) 11.5 -
VGS(th) 2.3 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 30uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 10A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 233 -
Qg*(nC) 4.3 -
库存与单价
库存 2,890 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6699
200+ :  ¥0.546
1,500+ :  ¥0.4966
暂无价格
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