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AO4466  与  RSS065N03TB  区别

型号 AO4466 RSS065N03TB
唯样编号 A36-AO4466 A-RSS065N03TB
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 41 -
功率耗散(最大值) - 2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 35mΩ -
Qgd(nC) 1.6 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 430pF @ 10V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 4.3 -
封装/外壳 SO-8 8-SOP
连续漏极电流Id 10A -
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 373 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 26 毫欧 @ 6.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 6 -
Td(off)(ns) 15.8 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W -
Qrr(nC) 6.6 -
VGS(th) 2.6 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 67 -
Qg*(nC) 3.5 -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 6.1nC @ 5V
库存与单价
库存 1,680 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
80+ :  ¥0.704
200+ :  ¥0.5746
1,500+ :  ¥0.5213
暂无价格
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