首页 > 商品目录 > > > > AO4294代替型号比较

AO4294  与  IRF7493PBF  区别

型号 AO4294 IRF7493PBF
唯样编号 A36-AO4294 A-IRF7493PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 80 V 2.5 W 35 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 11 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ@10V 15mΩ@5.6A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 15.5mΩ -
Qgd(nC) 4 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 8 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 11.5A 9.3A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 2420 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1510pF @ 25V
Trr(ns) 25 -
Td(off)(ns) 25 -
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W(Tc)
Qrr(nC) 110 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 53nC @ 10V
Coss(pF) 170 -
Qg*(nC) 15 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4294 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 当前型号
IRF7493PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售