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AO3435  与  DMG2301U-7  区别

型号 AO3435 DMG2301U-7
唯样编号 A36-AO3435 A36-DMG2301U-7-1
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 P-Channel 20 V 80 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 52 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 70mΩ@4.5V 130mΩ@2.8A,4.5V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@1.8V 110mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 90mΩ -
Qgd(nC) 1.8 -
栅极电压Vgs 8V ±8V
Td(on)(ns) 11 -
封装/外壳 SOT23-3 SOT-23
连续漏极电流Id -2.9A 2.7A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 510 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 17 -
Td(off)(ns) 60 -
漏源极电压Vds -20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1W 800mW(Ta)
Qrr(nC) 4 -
Rds On(Max)@1.5V 130mΩ -
VGS(th) -1 -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 608pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.5nC @ 4.5V
Coss(pF) 70 -
Qg*(nC) 5.6 -
库存与单价
库存 207 19,245
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9361
200+ :  ¥0.6446
80+ :  ¥0.6891
200+ :  ¥0.2715
1,500+ :  ¥0.1958
3,000+ :  ¥0.135
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3435 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.9361 

阶梯数 价格
60: ¥0.9361
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130: ¥0.3926
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阶梯数 价格
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1,500: ¥0.6015
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阶梯数 价格
80: ¥0.6875
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3,000: ¥0.403
30,769 对比
DMG2301U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.6891 

阶梯数 价格
80: ¥0.6891
200: ¥0.2715
1,500: ¥0.1958
3,000: ¥0.135
19,245 对比
DMP2123L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

¥0.6853 

阶梯数 价格
80: ¥0.6853
200: ¥0.5577
1,500: ¥0.5083
3,000: ¥0.4745
6,308 对比

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