首页 > 商品目录 > > > > AO3434A代替型号比较

AO3434A  与  FDN337N  区别

型号 AO3434A FDN337N
唯样编号 A36-AO3434A A32-FDN337N
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 20 -
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 52mΩ@10V 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@4.5V 60mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 78mΩ -
Qgd(nC) 1 Ohms -
栅极电压Vgs 12V ±8V
Td(on)(ns) 2 -
封装/外壳 SOT23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 4A 2.2A(Ta)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 245 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 10V
Trr(ns) 6.5 -
Td(off)(ns) 22 Ohms -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 500mW(Ta)
Qrr(nC) 7.5 -
VGS(th) 1.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 4.5V
Coss(pF) 35 -
Qg*(nC) 2.6 -
库存与单价
库存 1,121 5
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6534
200+ :  ¥0.4979
1+ :  ¥1.6596
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3434A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.6534 

阶梯数 价格
80: ¥0.6534
200: ¥0.4979
1,121 当前型号
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5395 

阶梯数 价格
100: ¥0.5395
200: ¥0.3484
1,500: ¥0.3029
3,000: ¥0.2678
28,440 对比
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.9966 

阶梯数 价格
60: ¥0.9966
200: ¥0.6875
1,500: ¥0.6248
3,000: ¥0.5841
8,532 对比
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥1.6596 

阶梯数 价格
1: ¥1.6596
5 对比
AO3434 AOS 通用MOSFET

SOT-23-3L

暂无价格 0 对比
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售