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AO3400A  与  IRLML6344TRPBF  区别

型号 AO3400A IRLML6344TRPBF
唯样编号 A36-AO3400A A36-IRLML6344TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 50 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 26.5mΩ@10V 29mΩ@5A,4.5V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 32mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 48mΩ -
Qgd(nC) 1.8 -
栅极电压Vgs 12V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
Td(on)(ns) 3 -
封装/外壳 SOT23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 5.7A 5A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 630 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 25V
Trr(ns) 8.5 -
Td(off)(ns) 25 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.3W(Ta)
Qrr(nC) 2.6 -
VGS(th) 1.45 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.8nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.8nC @ 4.5V
Coss(pF) 75 -
Qg*(nC) 6 -
库存与单价
库存 54,947 15,499
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5753
200+ :  ¥0.4394
1,500+ :  ¥0.3822
3,000+ :  ¥0.338
70+ :  ¥0.8063
200+ :  ¥0.5566
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3400A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
54,947 当前型号
DMN3404L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.3238 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.3238
120,000 对比
DMN3404L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.4849 

阶梯数 价格
110: ¥0.4849
200: ¥0.3133
1,500: ¥0.2717
21,682 对比
IRLML6344TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.8063 

阶梯数 价格
70: ¥0.8063
200: ¥0.5566
15,499 对比
DMN3052L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 12,000 对比
IRLML6344TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥1.1499 

阶梯数 价格
140: ¥1.1499
500: ¥1.1404
1,000: ¥1.1212
2,000: ¥1.0939
4,000: ¥1.0939
10,265 对比

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